。它不使用硅材料，面是用被稱為黃銅礦系的材料村成。很具代表性的是由組成的化合物(簡稱CIGS)制成的太陽能電池片。一般的晶體硅太陽能電池相比， 其主要特征是光吸收系數(shù)很高，只用2～3jumm的厚度就能吸收幾乎所有到達其表面的太陽光。雖然，但是，這些元素在我們的身邊和生活中廣泛存在，即使考慮遇到火災(zāi)，它們也不會給環(huán)境安全帶來影響，面且，電池本身的厚度只有幾微米，可以有效地節(jié)省資源，降低制造時所需的能源消耗。在實驗室已經(jīng)得到與晶體硅太陽電池相對比的19.8%高轉(zhuǎn)換效率，面且還有很大的提高空向。

　　在晶體硅太陽能電池中，真正起發(fā)電作用的僅是硅片表面附近的很少部分，離表面較遠部分并不直接起發(fā)電作用，為了盡量節(jié)約硅材料，有效降低生產(chǎn)成本，晶體硅太陽電池正向薄片化方向發(fā)展。目前硅片厚度已降至200恥塵以下;另一方面，就是向薄膜化方向發(fā)展，非晶硅薄膜太陽電池是早實現(xiàn)進入市場的商業(yè)化薄膜果凍傳媒91制片。

　　，是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來發(fā)電。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增強化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用輝光放電位其分解，借助化學(xué)反應(yīng)在襯底上堆積硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結(jié)構(gòu)。晶體硅是每一個硅原子通過共價鍵與其他4個硅原子鍵合成四面體，摻氫非晶硅僅以共價鍵與其他3個相鄰的硅原子相鍵合，面硅的第4個價原子與氫原子鍵合。在摻氧非晶硅中，化合氫的含量用原子百分?jǐn)?shù)表示占10%左右。這些復(fù)原子會直接對懸掛鍵(dangling bond)缺陷結(jié)合，減少對電子的捕獲，以達到非晶硅的低缺陷密度，使其能夠作為太陽電池應(yīng)用。下面，從應(yīng)用者視角，有必要關(guān)注下面的內(nèi)容：

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