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行業(yè)聚焦 | 多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝

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行業(yè)聚焦 | 多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝

發(fā)布日期:2022-01-23 00:00 來(lái)源:http://www.desunpv.com 點(diǎn)擊:

一、" style="color: rgb(0, 176, 240); text-decoration: underline;">多晶硅太陽(yáng)能板,電子束蒸發(fā)和電鍍


一般,使用正膠剝離工藝,蒸鍍罷頸/筆補(bǔ)/礎(chǔ)駁多層金屬電極,要減小金屬電極所引起的串聯(lián)電阻,往往需要金屬層比較厚(8~10微米)。缺點(diǎn)是電子束蒸發(fā)造成硅外表/鈍化層介面損害,使外表復(fù)合進(jìn)步,因而,工藝中,選用短時(shí)蒸發(fā)罷頸/筆補(bǔ)層,在蒸發(fā)銀層的工藝。


另一個(gè)問(wèn)題是金屬與硅接觸面較大時(shí),必將導(dǎo)致少子復(fù)合速度進(jìn)步。工藝中,選用了隧道結(jié)接觸的辦法,在硅和金屬成間構(gòu)成一個(gè)較薄的氧化層(一般厚度為20微米左右)應(yīng)刻苦函數(shù)較低的金屬(如鈦等)可在硅外表感應(yīng)一個(gè)穩(wěn)定的電子積累層(也可引入固定正電荷加深反型)。


另外一種辦法是在鈍化層上開出小窗口(小于2微米),再淀積較寬的金屬柵線(一般為10微米),構(gòu)成mushroom-like狀電極,用該辦法在100px2 Mc-Si上電池的轉(zhuǎn)化功率到達(dá)17.3%。


圖片18.png


二、,筆狽結(jié)的構(gòu)成技能


1、發(fā)射區(qū)構(gòu)成和磷吸雜 : 對(duì)于高效太陽(yáng)能電池,發(fā)射區(qū)的構(gòu)成一般選用選擇分散,在金屬電極下方構(gòu)成重雜質(zhì)區(qū)域而在電極間完結(jié)淺濃度分散,發(fā)射區(qū)的淺濃度分散即增強(qiáng)了電池對(duì)藍(lán)光的響應(yīng),又使硅外表易于鈍化。分散的辦法有兩步分散工藝、分散加腐蝕工藝和埋葬分散工藝。目前選用選擇分散,15×375px2電池轉(zhuǎn)化功率到達(dá)16.4%,n++、n+區(qū)域的外表方塊電阻分別為20Ω和80Ω。



對(duì)于Mc-Si資料,擴(kuò)磷吸雜對(duì)電池的影響得到廣泛的研討,較長(zhǎng)時(shí)刻的磷吸雜進(jìn)程(一般3~4小時(shí)),可使一些Mc-Si的少子分散長(zhǎng)度進(jìn)步兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在對(duì)襯底濃度對(duì)吸雜效應(yīng)的研討中發(fā)現(xiàn),即使對(duì)高濃度的襯第資料,經(jīng)吸雜也可以取得較大的少子分散長(zhǎng)度(大于200微米),電池的開路電壓大于638mv, 轉(zhuǎn)化功率超越17%。單晶果凍傳媒91制片



2、背外表場(chǎng)的構(gòu)成及鋁吸雜技能 : 在Mc-Si電池中,背p+p結(jié)由均勻分散鋁或硼構(gòu)成,硼源一般為BN、Bp、APCVD SiO2:B2O8等,鋁分散為蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷鋁,800度下燒結(jié)所完結(jié),對(duì)鋁吸雜的作用也開展了大量的研討,與磷分散吸雜不同,鋁吸雜在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行。其中體缺點(diǎn)也參加了雜質(zhì)的溶解和沉積,而在較高溫度下,沉積的雜質(zhì)易于溶解進(jìn)入硅中,對(duì)Mc-Si發(fā)生晦氣的影響。到目前為至,區(qū)域背場(chǎng)已使用于單晶硅電池工藝中,但在多晶硅中,仍是使用全鋁背外表場(chǎng)結(jié)構(gòu)。



3、雙面Mc-Si電池 : Mc-Si雙面電池其正面為慣例結(jié)構(gòu),反面為N+和P+相互穿插的結(jié)構(gòu),這樣,正面光照發(fā)生的但位于反面鄰近的光生少子可由背電極有用吸收。背電極作為對(duì)正面電極的有用補(bǔ)充,也作為一個(gè)獨(dú)立的栽流子收集器對(duì)反面光照和散射光發(fā)生作用。


多晶硅太陽(yáng)能板


叁、,外表和體鈍化技能


對(duì)于慚腸-廠頸,因存在較高的晶界、點(diǎn)缺點(diǎn)(空位、填隙原子、金屬雜質(zhì)、氧、氮及他們的復(fù)合物)對(duì)資料外表和體內(nèi)缺點(diǎn)的鈍化尤為重要,除前面說(shuō)到的吸雜技能外,鈍化工藝有多種辦法,通過(guò)熱氧化使硅懸掛鍵飽滿是一種比較常用的辦法,可使廠頸-廠頸翱2界面的復(fù)合速度大大下降,其鈍化作用取決于發(fā)射區(qū)的外表濃度、界面態(tài)密度和電子、空穴的浮獲截面。在氫氣氛中退火可使鈍化作用更加顯著。選用筆貳頒癡頓淀積氮化硅近期正面十分有用,由于在成膜的進(jìn)程中具有加氫的作用。該工藝也可使用于規(guī);霎a(chǎn)中。太陽(yáng)能板



四、,工業(yè)化電池工藝

 

太陽(yáng)電池從研討室走向工廠,試驗(yàn)研討走向規(guī);霎a(chǎn)是其發(fā)展的道路,所以可以到達(dá)工業(yè)化出產(chǎn)的特征應(yīng)該是:

(1)電池的制造工藝可以滿足流水線作業(yè);

(2)可以大規(guī)模、現(xiàn)代化出產(chǎn);

(3)到達(dá)高效、低成本。當(dāng)然,其主要目標(biāo)是降低太陽(yáng)電池的出產(chǎn)成本。



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