硅片的清洗很重要，它影響電池的轉(zhuǎn)換效率，如器件的性能中反向電流迅速加大及器件失效等。因此硅片的清洗很重要，下面主要介紹清洗的作用和清洗的原理。

　　&蒼產(chǎn)蟬辮;清洗的作用

　　1.在太陽能材料制備過程中，在硅表面涂有一層具有良好性能的減反射薄膜，有害的雜質(zhì)離子進入二氧化硅層，會降低絕緣性能，清洗后絕緣性能會更好。

　　2.在等離子邊緣腐蝕中，如果有油污、水氣、灰塵和其它雜質(zhì)存在，會影響器件的質(zhì)量，清洗后質(zhì)量大大提高。

　　3.硅片中雜質(zhì)離子會影響P-N 結(jié)的性能，引起P-N 結(jié)的擊穿電壓降低和表面漏電，影響P-N 結(jié)的性能。

　　4.在硅片外延工藝中，雜質(zhì)的存在會影響硅片的電阻率不穩(wěn)定。

　　清洗的原理

　　要了解清洗的原理，首先必須了解雜質(zhì)的類型，雜質(zhì)分為叁類：一類是分子型雜質(zhì)，包括加工中的一些有機物；二類是離子型雜質(zhì)，包括腐蝕過程中的鈉離子、氯離子、氟離子等；叁是原子型雜質(zhì)，如金、鐵、銅和鉻等一些重金屬雜質(zhì)。目前最常用的清洗方法有：化學(xué)清洗法、超聲清洗法和真空高溫處理法。

　　1.目前的化學(xué)清洗步驟有兩種：

　　（1）有機溶劑（甲苯、丙酮、酒精等）&補塵辮;謗補謗謗;去離子水&補塵辮;謗補謗謗;無機酸（鹽酸、硫酸、硝酸、王水）&補塵辮;謗補謗謗;氫氟酸&補塵辮;謗補謗謗;去離子水

　�。�2）堿性過氧化氫溶液&補塵辮;謗補謗謗;去離子水&補塵辮;謗補謗謗;酸性過氧化氫溶液&補塵辮;謗補謗謗;去離子水

下面討論各種步驟中試劑的作用。

　　補.有機溶劑在清洗中的作用

　　用于硅片清洗常用的有機溶劑有甲苯、丙酮、酒精等。在清洗過程中，甲苯、丙酮、酒精等有機溶劑的作用是除去硅片表面的油脂、松香、蠟等有機物雜質(zhì)。所利用的原理是“相似相溶”。

　　產(chǎn).無機酸在清洗中的作用

　　硅片中的雜質(zhì)如鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)，只能用無機酸除去。有關(guān)的反應(yīng)如下：

　　2礎(chǔ)瀕+6貶頒瀕=2礎(chǔ)瀕頒瀕3+3貶2&補塵辮;恥補謗謗;

　　礎(chǔ)瀕2翱3+6貶頒瀕=2礎(chǔ)瀕頒瀕3+3貶2翱

　　Cu+2H2SO4= CuSO4 +SO2↑+2H2O

　　2礎(chǔ)駁+2貶2廠翱4=2礎(chǔ)駁2廠翱4+廠翱2&補塵辮;恥補謗謗;+2貶2翱

　　Cu+4HNO3= Cu（NO3）2 +2NO2↑+2H2O

　　Ag+4HNO3= AgNO3+2NO2↑+2H2O

　　Au+4HCl+HNO3=H［AuCl4］ +NO↑+2H2O

　　廠頸翱2+4貶貴=廠頸貴4&補塵辮;恥補謗謗;+2貶2翱

　　如果HF 過量則反應(yīng)為：SiO2+6HF=H2［SiF6］+2H2O

　　H2O2 的作用：在酸性環(huán)境中作還原劑，在堿性環(huán)境中作氧化劑。在硅片清洗中對一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)。如：

　　As2S5+20 H2O2+16NH4OH=2（NH4）3AsO4+5（NH4）2SO4+28H2O

　　MnO2+ H2SO4+ H2O2= MnSO4+2H2O+O2↑

　　c.RCA 清洗方法及原理

　　在生產(chǎn)中，對于硅片表面的清洗中常用RCA 方法及基于RCA 清洗方法的改進，RCA 清洗方法分為Ⅰ號清洗劑（APM）和Ⅱ號清洗劑（HPM）。Ⅰ號清洗劑（APM）的配置是用去離子水、30%過氧化氫、25%的氨水按體積比為：5:1：1 至5:2：1；Ⅱ號清洗劑（HPM）的配置是用去離子水、30%過氧化氫、25%的鹽酸按體積比為：6:1：1 至8:2：1。其清洗原理是：氨分子、氯離子等與重金屬離子如：銅離子、鐵離子等形成穩(wěn)定的絡(luò)合物如：［AuCl4］-、［Cu（NH3）4］2+、［SiF6］2-。

清洗時，一般應(yīng)在75～85℃條件下清洗、清洗15 分鐘左右，然后用去離子水沖洗干凈。Ⅰ號清洗劑（APM）和Ⅱ號清洗劑（HPM）有如下優(yōu)點：

　�。�1）這兩種清洗劑能很好地清洗硅片上殘存的蠟、松香等有機物及一些重金屬如金、銅等雜質(zhì)；

　�。�2）相比其它清洗劑，可以減少鈉離子的污染；

　�。�3）相比濃硝酸、濃硫酸、王水及鉻酸洗液，這兩種清洗液對環(huán)境的污染很小，操作相對方便。

　　2.超聲波在清洗中的作用

　　目前在半導(dǎo)體生產(chǎn)清洗過程中已經(jīng)廣泛采用超聲波清洗技術(shù)。超聲波清洗有以下優(yōu)點：

　　（1）清洗效果好，清洗手續(xù)簡單，減少了由于復(fù)雜的化學(xué)清洗過程中而帶來的雜質(zhì)的可能性；

　�。�2）對一些形狀復(fù)雜的容器或器件也能清洗。

　　超聲波清洗的缺點是當(dāng)超聲波的作用較大時，由于震動磨擦，可能使硅片表面產(chǎn)生劃道等損傷。

　　超聲波產(chǎn)生的原理：高頻震蕩器產(chǎn)生超聲頻電流，傳給換能器，當(dāng)換能器產(chǎn)生超聲震動時，超聲震動就通過與換能器連接的液體容器底部而傳播到液體內(nèi)，在液體中產(chǎn)生超聲波。

　　3.真空高溫處理的清洗作用

　　硅片經(jīng)過化學(xué)清洗和超聲波清洗后，還需要將硅片真空高溫處理，再進行外延生長。真空高溫處理的優(yōu)點：

　�。�1）由于硅片處于真空狀態(tài)，因而減少了空氣中灰塵的玷污；

　　（2）硅片表面可能吸附的一些氣體和溶劑分子的揮發(fā)性增加，因而真空高溫易除去；

　�。�3）硅片可能玷污的一些固體雜質(zhì)在真空高溫條件下，易發(fā)生分解而除去。