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太陽能級單晶硅知識概要

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太陽能級單晶硅知識概要

發(fā)布日期:2024-04-14 00:00 來源:http://www.desunpv.com 點擊:

單晶硅的制法通常是先制得或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

  單晶硅棒是生產(chǎn)的原材料,隨著國內和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加,單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

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  單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸(300毫米)及18英寸(450毫米)等。直徑越大的圓片,芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體生長方法的不同,分為直拉法(頒竄)、區(qū)熔法(貴竄)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長單晶硅棒材,外延法生長單晶硅薄膜。直拉法生長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、。目前晶體直徑可控制在&補塵辮;筆丑頸;3詞8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域,廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)物。目前晶體直徑可控制在&補塵辮;筆丑頸;3詞6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

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  單晶硅也稱硅單晶,是電子信息材料和行業(yè)中最基礎性材料,屬半導體材料類。單晶硅已滲透到國民經(jīng)濟和國防科技中各個領域。

  硅片直徑越大,技術要求越高,越有市場前景,價值也就越高。


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