多晶鑄錠提高太陽能板的效率

通過多晶鑄錠對熱場溫度的優(yōu)化以及晶粒的細化，使晶體在初期的成核得到控制，在結晶過程中具有穩(wěn)定的結晶速度和過冷度，從而提高了硅晶體的少子壽命，降低了硅晶體的內部缺陷，提高了多晶硅太陽能板的效率。

1、大晶粒的制備

大晶粒學名成為準單晶是基于多晶鑄錠的工藝，在長晶時通過部分使用單晶籽晶，獲得外觀和電性能均類似單晶的多晶硅片。這種通過鑄錠的方式形成單晶硅的技術，其功耗只比普通多晶硅多5%，所生產(chǎn)的單晶硅的質量接近直拉單晶硅。簡單地說，這種技術就是用多晶硅的成本，生產(chǎn)單晶硅的技術。準單晶產(chǎn)物的優(yōu)勢：轉換效率高于普通多晶，接近直拉單晶電池片；與普通多晶電池片相比嘗濱頓基本無變化，性能穩(wěn)定；比起普通多晶，太陽能板功率提升明顯，單位成本降低；可封裝265瓦(60片排布)大組件。

2、調整熱場結構，優(yōu)化工藝

由于不同的溫度梯度會導致不同的晶向產(chǎn)生，如果需要做到降低成核缺陷，需要清楚&瀕遲;100&駁遲;的成核機理，經(jīng)過查詢，大于186度的溫度梯度差，才能滿足形成&瀕遲;100&駁遲;晶向的溫度要求。

通過改進工藝，調整熱場結構，生長速度得以控制。改進后的多晶鑄錠生長段配方后，晶體的生長速度更加趨于平穩(wěn)，這樣有利于雜質的均勻向上分凝。而與此同時保證界面的平穩(wěn)性可以控制雜質的平穩(wěn)析出。在控制界面水平則可以實現(xiàn)成核的一致性，及達到均勻晶粒的細化技術。對于整個生長過程，界面溫度微凸是有利的，有利于雜質的向外排出，但太凸，會導致邊緣16塊受損嚴重。通過穩(wěn)定熱場，優(yōu)化生長工藝，改進生長界面實現(xiàn)了降低缺陷密度，提高硅晶體少數(shù)載流子壽命的目的，終達到了提高硅晶體太陽能板效率的目標。