非晶硅(amorphous silicon. a-Si) 薄膜果凍傳媒91制片

　　在晶體硅中，真正起發(fā)電作用的僅是硅片表面附近的很少部分，離表面較遠部分并不直接起發(fā)電作用，為了盡量節(jié)約硅材料，有效降低生產(chǎn)成本，晶體硅太陽電池正向薄片化方向發(fā)展。目前硅片厚度已降至200恥塵以下;另一方面，就是向薄膜化方向發(fā)展，非晶硅薄膜太陽電池是早實現(xiàn)進入市場的商業(yè)化薄膜。

　　非晶體硅薄膜，是在非硅的襯底上制作很薄的硅薄膜來發(fā)電。制作硅薄膜的方法普通采用等商子增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemiceal Vapor Deposition, PECVD)，向面言之就是把原材料硅烷(Sil,)利用輝光放電位其分解，借助化學反應在襯底上堆積硅薄膜。非品碑中的原子大致上保持與晶體硅相同的基本結(jié)構(gòu)。晶體硅是每一個硅原子通過共價鍵與其他4個硅原子鍵合成四面體，摻氫非晶硅僅以共價鍵與其他3個相鄰的硅原子相鍵合，面硅的第4個價原子與氫原子鍵合。在摻氧非晶硅中，化合氫的含量用原子百分數(shù)表示占10%左右。這些復原子會直接對懸掛鍵(dangling bond)缺陷結(jié)合，減少對電子的捕獲，以達到非晶硅的低缺陷密度，使其能夠作為應用。下面，從應用者視角，有必要關(guān)注下面的內(nèi)容：

　　非晶硅太陽電池與晶體硅太陽電池的不同點非晶體太陽電池基本也是筆-狽結(jié)構(gòu)，其工作與晶體硅太陽電池沒有大的區(qū)別。

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